DDR5 提前解毒，建議普及內(nèi)存水冷散熱
Intel 12 代酷睿發(fā)布率先帶來了 DDR5 內(nèi)存支持，距離上一代 DDR4 上市已經(jīng)有 7 年之久，所以 DDR5 就不單單是刷新下版本這么簡單。
同時(shí)價(jià)格也非?！父腥恕梗m然我和大家一樣選擇不買，但卻非常好奇它哪里來的勇氣賣這么貴？
這換代又能否讓 DDR4 直接白菜價(jià)呢？
基本變化
大家應(yīng)該想知道 DDR5 比 DDR4 提升多少，DDR5 直觀的變化就是在容量、頻率、電壓、時(shí)序上的變化。DDR5 單條主流容量 16G 起步、128G 上限，消費(fèi)級雙通道四槽總?cè)萘烤涂梢詮脑瓉淼?128G 增加到 512G。
但很可惜，Intel 剛剛發(fā)布的 12 代 Alder Lake CPU 的內(nèi)存上限仍然是 128G，意味著普通消費(fèi)級平臺想要用上超大內(nèi)存還得等。
頻率方面 JEDEC 規(guī)范 4800MHz 起步，8400MHz 上限。不少廠商也發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品，前期預(yù)估主流頻率也就在 4800MHz 到 6000MHz 多點(diǎn)了。而同時(shí)，DDR5 的時(shí)序也得了「巨大提升」 （數(shù)值上），從普通人的 DDR4 CL16/18/19 到了 CL40，高端也僅降到 CL36。
DDR5 電壓也降到了 1.1V，默認(rèn)下更節(jié)能省電（實(shí)際上能加壓到多少暫不清楚）。
內(nèi)存效能
內(nèi)存頻率提升，將直接帶來讀寫帶寬的提升。目前曝光的 Aida64 跑分測試如下：
讀寫速率相比 DDR4 有了提升，但由于高時(shí)序也帶來了非常高的延遲表現(xiàn)。不過 DDR5 的 Bank 數(shù)量以及 Burst Length（DRAM單個(gè)讀/寫指令可以存取的數(shù)據(jù)量）都得到了翻倍，使內(nèi)存效能得到了提升。
也就是說 DDR4 與 DDR5 同頻率（比如同 4800MHz）下的效能表現(xiàn)不是簡簡單單比比時(shí)序。
供電
DDR5 的改變還有哪些？如果你看了 DDR5 內(nèi)存的圖片后，一定能注意到內(nèi)存 PCB 中心位置多出了不知名的元件。這是啥？這不是原本在主板上的供電部分嗎？
這下給搬到了內(nèi)存上，主板成本更低，但內(nèi)存成本就更高了，也將帶來更高的發(fā)熱量。內(nèi)存水冷，建議普及。
而選購內(nèi)存也從只看顆粒，變成供電、PCB 布線、散熱都需要額外考慮并加錢了。主板選擇空間是更多了，但平民法拉利內(nèi)存將會越來越少。感覺對玩家來說并不是什么好的改動(dòng)。
自帶雙通道
兩條內(nèi)存組雙通道速率翻倍想必大家都已經(jīng)牢記于心，但到了 DDR5 上又發(fā)生了「億點(diǎn)改變」。現(xiàn)在單條內(nèi)存直接自帶了雙通道！這意味著同容量需求可以選擇更便宜的單條而非套條？
但此雙通道和彼雙通道還是有一點(diǎn)區(qū)別，要是命名應(yīng)該叫「雙雙通道」。不理解不要緊，只要知道在原有基礎(chǔ)上有一定提升就好了。實(shí)際使用還是推薦插兩條小容量而非一條大容量。
ECC 內(nèi)存糾錯(cuò)??
DDR5 也增加了 On-Die ECC 這個(gè)新的技術(shù)。標(biāo)準(zhǔn)傳統(tǒng) ECC 采用單獨(dú)的顆粒來存儲校驗(yàn)程序，也就是能看到的 8+1。
而 DDR5 直接集成到 8 個(gè)顆粒本身，這樣主要就是為了降低成本，提高產(chǎn)量。
也因此，這個(gè)新的 On-Die ECC 與標(biāo)準(zhǔn) ECC 有一定的區(qū)別，其無法糾正已經(jīng)向緩存或者 CPU 轉(zhuǎn)移的數(shù)據(jù)。普通用戶其實(shí)并沒有 ECC 需求，而有這項(xiàng)需求的用戶得到的效果反而不如標(biāo)準(zhǔn) ECC 好。
結(jié)論?
從目前各方面來看，DDR5 確實(shí)是有點(diǎn)讓人失望的，頻率時(shí)序延遲都不盡人意。4800MHz 不是很多 DDR4 條子隨便超？大家預(yù)測一波，DDR5 4800C40 打不打得過時(shí)序減半的DDR4 4800？對于完全不在意價(jià)格的人來說或許是有提升，但普通人乃至發(fā)燒友都將被價(jià)格勸退。更無法接受居然還將供電轉(zhuǎn)移到了內(nèi)存本體上，普條暴打高價(jià)馬甲條的事情不會再發(fā)生了？
本文編輯：@ 小淙
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